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FCX705TA	文件：91.71 Kbytes Page：5 Pages	120VNPNSILICONHIGHVOLTAGEDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION ThisnewPNPDarlingtontransistorprovidesuserswithveryefficientperformancecombininglowVCE(sat)andveryhighHFEtogiveextremelylowonstatelossesat120Voperation.Thismakesitdealforuseinavarietyofefficientdrivingfunctionsincludingmotors,lampsrelaysand	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX705TA	文件：141.74 Kbytes Page：5 Pages	120VPNPSILICONHIGHVOLTAGEDARLINGTONTRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX705TA	文件：135.78 Kbytes Page：5 Pages	120VPNPSILICONHIGHVOLTAGEDARLINGTONTRANSISTOR Features •BVCEO>-120V •DarlingtonTransistorhFE>3k@-1A •LowSaturationVoltage	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FPT705	文件：527.77 Kbytes Page：6 Pages	DualConductor,HighCurrentPowerInductors	COOPER COOPER	COOPER
FPT705	文件：267.39 Kbytes Page：4 Pages	Dualconductor,highcurrentpowerinductors	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
FTB-705	文件：176.91 Kbytes Page：1 Pages	Barriertypeterminalblock	BLOCKMASTER-ELECTRONICS BlockMaster Electronics, Inc.	BLOCKMASTER-ELECTRONICS
FW705	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FXT705	文件：27.68 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERDARLINGTONTRANSISTOR FEATURES 120VoltVCEO Gainof3KatIC=1Amp Ptot=1Watt APPLICATIONS Lamp,solenoidandrelaydrivers *ReplacementofTO126andTO220darlingtons	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT705	文件：55.25 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERDARLINGTONTRANSISTOR FEATURES 2ACONTINUOUSCURRENT FASTSWITCHING *GUARANTEEDHFESPECIFIEDUPTO2A COMPLEMENTARYTYPE-FZT605 PARTMARKINGDETAIL-FZT705	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT705	文件：66.84 Kbytes Page：2 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERDARLINGTONTRANSISTOR Features •BVCEO>-120V •BVCBO>-140V •IC=2AHighContinuousCurrent •hFE>2kforHighGain@2A •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •AnAutomotive-Complian	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
5@0.9A@2AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
700V
Maximum DC Collector Current：
2.5A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Transition Frequency：
7(Typ)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BU706		24+	TO-3PN	10000	全新	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BU706	恩XP	23+	TO-3P	900000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多BU705D供应商更新时间2025-7-28 16:00:00

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