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BU508AFI中文资料Trans GP BJT NPN 700V 8A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218数据手册NJS规格书

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厂商型号

BU508AFI

参数属性

BU508AFI 封装/外壳为ISOWATT-218-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 700V 8A ISOWATT-218FX

功能描述

Trans GP BJT NPN 700V 8A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218

封装外壳

ISOWATT-218-3

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-25 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BU508AFI

  • 生产厂家

    :NJS

  • Configuration

    :Single

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :1@2A@4.5AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :700V

  • Maximum DC Collector Current

    :8A

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :10V

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Power Dissipation

    :50000mW

  • Maximum Transition Frequency

    :7(Typ)MHz

  • Type

    :NPN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
3394
原装现货,当天可交货,原型号开票
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25+
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