BU508AF数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

描述 Description

The BU508AF is manufactured using diffused collector in planar technology adopting new and enhanced high voltage structure for updated performance to the horizontal deflection stage.

特性 Features

• Fully insulated power package U.L. compliant
• State-of-the-art technology:Diffused collector “Enhanced generation”
• Low base-drive requirement
• Stable performances versus operating temperature variation
• High ruggedness
• Tigh hFE range at operating collector current

简介

BU508AF属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BU508AF晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。