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BU505	文件：74.6 Kbytes Page：12 Pages	Silicon diffused power transistors DESCRIPTION High-voltage, high-speed switching NPN power transistor in a TO-220AB package. The BU505D has an integrated efficiency diode. APPLICATIONS • Horizontal deflection circuits of colour television receivers. 文件：74.6 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BU505	文件：132.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High voltage,high speed-switching APPLICATIONS • For horizontal deflection circuits of color TV receivers 文件：132.08 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU505	文件：133.32 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 700V(Min.) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. 文件：133.32 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU505	文件：90.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High voltage,high speed-switching APPLICATIONS • For horizontal deflection circuits of color TV receivers 文件：90.15 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BU505	文件：61.71 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE NPN MULTIEPITAXIAL FAST-SWITCHING TRANSISTOR Description The BU505 is a High Voltage NPN fastswitching transistor designed to be used in lighting application, like electronic ballast for fluorescent lamps. It’s characteristics make also ideal for power supplies. Features ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ VERY HIGH SWITCHING SPEED ■ HIGH RUGG 文件：61.71 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU505	文件：143.7 Kbytes Page：10 Pages	High Voltage NPN Multiepitaxial Fast-Switching Transistor 文件：143.7 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU505	文件：91.72 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：91.72 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BU505	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 700V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	NJS	NJS
BU505	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 700V 2.5A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU505D	文件：74.6 Kbytes Page：12 Pages	Silicon diffused power transistors DESCRIPTION High-voltage, high-speed switching NPN power transistor in a TO-220AB package. The BU505D has an integrated efficiency diode. APPLICATIONS • Horizontal deflection circuits of colour television receivers. 文件：74.6 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI

晶体管资料

型号：
BU505
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_行输出（HA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1500V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU506,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
75

产品属性

产品编号：
BU505
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 900mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
150µA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 700V 2.5A TO220

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