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BU505D	文件：252.76 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 700V(Min.) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. 文件：252.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU505D	文件：134.05 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 700V(Min.) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. 文件：134.05 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU505D	文件：74.6 Kbytes Page：12 Pages	Silicon diffused power transistors DESCRIPTION High-voltage, high-speed switching NPN power transistor in a TO-220AB package. The BU505D has an integrated efficiency diode. APPLICATIONS • Horizontal deflection circuits of colour television receivers. 文件：74.6 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BU505DF	文件：81.1 Kbytes Page：12 Pages	Silicon diffused power transistors DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT186 package with electrically isolated mounting base. The BU505DF has an integrated efficiency diode. APPLICATIONS • Horizontal deflection circuits of colour television receivers. 文件：81.1 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BU505DF	文件：48.25 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High voltage,high speed • With integrated efficiency diode APPLICATIONS • For horizontal deflection circuits of color TV receivers. 文件：48.25 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU505DF	文件：123.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High voltage,high speed • Built-in damper diode. APPLICATIONS • For horizontal deflection circuits of color TV receivers. 文件：123.67 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BU505DF	文件：125.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：125.26 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BU505D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 700V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
BU505DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 700V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BU505D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Di
性质：
+INTEGR_DIODE
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1500V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU506D,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
75

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.9A@2AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
700V
Maximum DC Collector Current：
2.5A
Maximum Emitter Base Voltage：
6(Typ)V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Transition Frequency：
7(Typ)MHz
Type：
NPN

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