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BTW69-800	文件：84.96 Kbytes Page：6 Pages	50A SCRS 文件：84.96 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BTW69-800RG	文件：84.96 Kbytes Page：6 Pages	50A SCRS 文件：84.96 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BTW69-800RG	文件：227.85 Kbytes Page：1 Pages	isc Thyristors 文件：227.85 Kbytes 页数：1 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BTW69-900RG	文件：227.65 Kbytes Page：1 Pages	isc Thyristors 文件：227.65 Kbytes 页数：1 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BTW69	文件：300 bytes Page：1 Pages	50A standard SCRs	ST 意法半导体	ST
BTW69-1200	文件：300 bytes Page：1 Pages	50 A - 1200 Vstandard SCR Thyristor in TOP3 Ins. Available in a high power package TOP3-I, the BTW69-1200 is suitable in applications where power handling and power dissipation are critical, such as solid state relays, welding equipment, high power motor control and power converters.\n\n This device offers a superior performance in surge current h • Max. repetitive blocking voltage = VDRM, VRRM = 1200 V \n• IGT maximum = 80 mA \n• ECOPACK2 component (RoHS and HF compliance) \n• Complies with UL 1557 standard (File ref : E81734);	ST 意法半导体	ST
BTW69-1200N	文件：300 bytes Page：1 Pages	50 A 1200 V SCR晶闸管，非隔离TOP3封装 Available in non insulated TOP3 high power package, the BTW69-1200N is suitable for applications where power switching and power dissipation are critical, such as by-pass switch, controlled AC rectifier bridge, in solid state relay, battery charger, uninterruptible power supply, welding equipment an • On-state rms current: 50 A \n• Blocking voltage: 1200 V \n• Gate current: 50 mA;	ST 意法半导体	ST
BTW69-1200N	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TOP-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶闸管 - SCR 描述：SCR 1.2KV 50A TOP3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BTW69-1200RG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TOP-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶闸管 - SCR 描述：SCR 1.2KV 50A TOP3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BTW69-200RG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TOP-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶闸管 - SCR 描述：SCR 200V 50A TOP3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BTW69/...N
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1200V
最大电流允许值：
40A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-70
vtest：
1200
htest：
999900
atest：
40
wtest：
0

技术参数

General Description：
50 A - 1200 Vstandard SCR Thyristor in TOP3 Ins.
RMS on-state current_max(A)：
50
Repetitive peak off-state voltage_max(V)：
1200
Non repetitive surge peak on-state current_max(A)：
580
Junction Temperature_max(°C)：
125
Triggering gate current max(mA)：
80
Rising Ratio Of Off Voltage_min(@ TJ(Max))(V/µs)：
1000
Marketing Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	BTW69	ST/意法	23+	TO-223	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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千层芯半导体(深圳)有限公司	BTW69-1200RG	STM	24+	原厂原封	930	只做原装	询价

更多BTW69供应商更新时间2026-1-19 14:17:00

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