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BTW69-1200N数据手册分立半导体产品的晶闸管-SCR规格书PDF

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厂商型号

BTW69-1200N

参数属性

BTW69-1200N 封装/外壳为TOP-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶闸管-SCR;产品描述:SCR 1.2KV 50A TOP3

功能描述

50 A 1200 V SCR晶闸管,非隔离TOP3封装
SCR 1.2KV 50A TOP3

封装外壳

TOP-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-12 13:01:00

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BTW69-1200N规格书详情

描述 Description

Available in non insulated TOP3 high power package, the BTW69-1200N is suitable for applications where power switching and power dissipation are critical, such as by-pass switch, controlled AC rectifier bridge, in solid state relay, battery charger, uninterruptible power supply, welding equipment and motor driver applications.

Based on a clip assembly technology, the BTW69-1200N offers a superior performance in surge current handling and thermal cooling capabilities.

特性 Features

• On-state rms current: 50 A
• Blocking voltage: 1200 V
• Gate current: 50 mA

简介

BTW69-1200N属于分立半导体产品的晶闸管-SCR。由制造生产的BTW69-1200N晶闸管 - SCR可控硅整流器 (SCR) 是三端子器件,其功能类似于整流二极管,并具有在施加控制信号前阻止正向电流流动的附加功能。SCR 最常用于控制交流市电,也称为晶闸管,但后者有时也适用于其他相关器件。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BTW69-1200N

  • 生产厂家

    :ST

  • General Description

    :50 A 1200 V SCR Thyristor in non-insulated TOP3

  • RMS on-state current_max(A)

    :50

  • Repetitive peak off-state voltage_max(V)

    :1200

  • Non repetitive surge peak on-state current_max(A)

    :700

  • Junction Temperature_max(°C)

    :125

  • Triggering gate current max(mA)

    :50

  • Rising Ratio Of Off Voltage_min(@ TJ(Max))(V/µs)

    :1000

  • Marketing Status

    :Active

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