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BTS7751G	文件：277.71 Kbytes Page：16 Pages	TrilithIC Description TheBTS7751GispartoftheTrilithICfamilycontainingthreediesinonepackage: Onedoublehigh-sideswitchandtwolow-sideswitches.ThedrainsofthesethreeverticalDMOSchipsaremountedonseparatedleadframes.Thesourcesareconnectedtoindividualpins,sotheBTS775	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS7751GNUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）全半桥驱动器描述：IC BRIDGE DRIVER PAR 28DSO	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
EVAL-AD7751EB	文件：249.41 Kbytes Page：16 Pages	EnergyMeteringICWithOn-ChipFaultDetection GENERALDESCRIPTION TheAD7751isahigh-accuracyfault-tolerantelectricalenergymeasurementICthatisintendedforusewith2-wiredistributionsystems.ThepartspecificationssurpasstheaccuracyrequirementsasquotedintheIEC1036standard. FEATURES HighAccuracy,Supports50	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
F7751	文件：292.51 Kbytes Page：7 Pages	SAWBandpassFilterF7751 Features ●RFbandpassfilter ●Highattenuation ●Usablebandwidth19MHz ●Nomatching50Ωsingle-endedoperation ●CeramicSurfaceMountedDevice(SMD)Package ●RoHSCompliant	ITF Integrated Technology Future	ITF
IRF7751	文件：162.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description HEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7751GPBF	文件：241.15 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFETUltraLowOn-Resistance Description HEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7751GTRPBF	文件：1.54071 Mbytes Page：6 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFETs APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7751PBF	文件：244.96 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
MP7751	文件：903.72 Kbytes Page：19 Pages	26V,2x20WStereoBTLFixFrequencyClassDAudioAmplifier	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
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详细参数

型号：
BTS7751G
功能描述：
电源开关 IC - POE/LAN QUAD D-MOS SW DRIVER TRILITH
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
开关数量：
Single
开关配置：
SPST
开启电阻（最大值）：
7.3 Ohms
开启时间（最大值）：
13 ns
关闭时间（最大值）：
20 ns
工作电源电压：
8 V to 26 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220F-6

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