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IRF7751规格书详情
描述 Description
HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management.
The TSSOP-8 package has 45 less footprint area than the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (
• Ultra Low On-Resistance
• Dual P-Channel MOSFET
• Very Small SOIC Package
• Low Profile (< 1.2mm)
• Available in Tape & Reel
产品属性
- 型号：
IRF7751
- 功能描述：
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
HEXFET®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3337 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TSSOP8 |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TSSOP8 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TSSOP8 |
55768 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
8-TSSOP |
7500 |
询价 | |||
IR |
17+ |
MSOP-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
MSOP-8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
8TSSOP |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
8-TSSOP |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
