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CEB550	文件：643.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,33A,RDS(ON)=40mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB550A	文件：766.08 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED550	文件：643.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,27A,RDS(ON)=40mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEF550A	文件：766.08 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP550	文件：643.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,33A,RDS(ON)=40mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP550A	文件：766.08 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU550	文件：643.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,27A,RDS(ON)=40mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CSMC550	文件：144.09 Kbytes Page：3 Pages	5.0Amp.SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
CY550	文件：1.10818 Mbytes Page：107 Pages	StepperSystemController	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
DLP550HE	文件：1.40417 Mbytes Page：44 Pages	DLP550HE0.55SVGADigitalMicromirrorDevice 1Features •0.55-inchdiagonalmicromirrorarray –SVGA(800x600)array –13.68-μmmicromirrorpitch –±12°micromirrortiltangle(relativetoflatstate) –Designedforcornerillumination •LVDSinputdatabus •TheDLP550HEchipsetincludes: –DLP550HEDMD –DLPC4430controller –	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
BTS550-P
功能描述：
?3.6mOhm - Vbb(on) = 5V-34V - TO218 AB/5?

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BTS550-P	INFINEON/英飞凌	23+	TO-220	12888	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多BTS550-P供应商更新时间2025-5-29 16:30:00

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