BTS133TC中文资料采用智能 SIPMOS ®技术的 N 通道垂直功率 FET。提供嵌入式保护功能。数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
BTS133TC |
| 参数属性 | BTS133TC 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3 |
| 功能描述 | 采用智能 SIPMOS ®技术的 N 通道垂直功率 FET。提供嵌入式保护功能。 |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 17:52:00 |
| 人工找货 | BTS133TC价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BTS133TC规格书详情
描述 Description
采用Smart SIPMOS® 技术的N通道垂直功率FET。•提供嵌入式保护功能。
ctions.
特性 Features
• 逻辑电平输入
• 输入保护（ESD）
• 具有锁定功能的热关断
• 短路保护和过载保护
• 过电压保护
• 电流限制
• 通过外部输入电阻实现状态反馈
• 可进行模拟驾驶
• AEC 认证
• 环保产品（符合 RoHS）
优势:
应用 Application
• 24V 应用
技术参数
更多- 制造商编号
：BTS133TC
- 生产厂家
：Infineon
- VDS max
：60.0V
- IL
：3.8A
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
：50.0mΩ
- IL(LIM) min
：21.0A
- ton max
：100.0µs
- toff max
：170.0µs
- Operating Temperature min max
：-40.0°C 150.0°C
- Mounting
：SMT
- Family
：HITFET
- ID
：3.8A
- ID(lim) min
：21.0A
- Ptot max
：90.0W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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