| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
14年
留言
|
InfineonTO263 |
9000 |
24+ |
原装现货热卖!!! |
|||
|
8年
留言
|
Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
8年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO263 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
4年
留言
|
Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
17年
留言
|
INFTO220TO263 |
24553 |
24+ |
||||
|
1年
留言
|
Infineon(英飞凌)NA |
8000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
|||
|
Infineon(英飞凌)NA |
18000 |
26+ |
原装 |
||||
|
7年
留言
|
INF8 |
28103 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
|||
|
3年
留言
|
Infineon(英飞凌)NA |
3560 |
25+ |
原装现货,市场最低价 |
|||
|
5年
留言
|
Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
1年
留言
|
Infineon(英飞凌)NA |
20000 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
|||
|
4年
留言
|
Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
|
6年
留言
|
Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
|||
|
5年
留言
|
Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
公司只做原装,可来电咨询 |
|||
|
6年
留言
|
STO220AB |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
3年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO220 |
7000 |
23+ |
||||
|
6年
留言
|
Infineon(英飞凌)封装 |
500000 |
25+ |
|
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
||
|
11年
留言
|
Infineon(英飞凌)N/A |
20000 |
25+ |
原装 |
BTS113采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BTS113图片
BTS113中文资料Alldatasheet PDF
更多BTS113制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
BTS113A功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113-A功能描述:?N-Channel TEMPFET?
BTS113A E3045A功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113A E3064功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113AE-3045A制造商:Siemens 功能描述:11.5 A, 60 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BTS113AE3045ANTMA1功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113AE3064NKSA1功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113ANKSA1功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube




























