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深圳市毅创弘电子科技有限公司

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BTS113A

InfineonTO263

9000

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原装现货热卖!!!

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

21000

25+

原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市坤融电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO263

5000

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原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

21000

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市天芯威科技有限公司

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Infineon(英飞凌)

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

21000

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市一线半导体有限公司

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INFTO220TO263

24553

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嘉宏桦电子(深圳)有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

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原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单

惠州市朝青芯薇电子科技有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

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原装

深圳市创盛芯科技有限公司

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INF8

28103

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全新原装正品支持含税

深圳市米数科技有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

3560

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原装现货,市场最低价

深圳市赛特兴科技有限公司

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Infineon(英飞凌)标准封装

7000

23+

原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

深圳市盈慧通电子有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

20000

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电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价!

深圳市盈慧通电子有限公司

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Infineon(英飞凌)标准封装

7000

2511

电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市中飞凌科技有限公司

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Infineon(英飞凌)标准封装

7000

26+

原装现货,原厂渠道价格优势

深圳航星空电子技术有限公司

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Infineon(英飞凌)标准封装

7000

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公司只做原装,可来电咨询

深圳市安富世纪电子有限公司

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STO220AB

8400

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专注配单,只做原装进口现货

天津市博通航睿技术有限公司

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INFINEON/英飞凌TO220

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万三科技(深圳)有限公司

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Infineon(英飞凌)封装

500000

25+

1+
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

深圳市清腾科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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BTS113制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

BTS113A功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BTS113-A功能描述:?N-Channel TEMPFET?

BTS113A E3045A功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BTS113A E3064功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BTS113AE-3045A制造商:Siemens 功能描述:11.5 A, 60 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

BTS113AE3045ANTMA1功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BTS113AE3064NKSA1功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BTS113ANKSA1功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube