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CHDTA113TUPT	文件：98.73 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTA113ZEPT	文件：197.66 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-75/SOT-416) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTA113ZKPT	文件：189.28 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbiasresi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTA113ZUPT	文件：210.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTB113EKPT	文件：171.6 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT500mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC113ZUPT	文件：92.78 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTD113EKPT	文件：119.84 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT500mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTD113ZKPT	文件：142.45 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTD113ZUPT	文件：170.61 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT500mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CM113	文件：99.31 Kbytes Page：1 Pages	LensEnd	VCC Visual Communications Company	VCC

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详细参数

型号：
BTS113A
功能描述：
MOSFET N-Channel 60V TEMPFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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