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BTA04-800B	文件：1.07404 Mbytes Page：5 Pages	4A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA04/BTB04, 4A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High b 文件：1.07404 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTA04-800BW	文件：1.07404 Mbytes Page：5 Pages	4A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA04/BTB04, 4A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High b 文件：1.07404 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTA04-800C	文件：1.07404 Mbytes Page：5 Pages	4A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA04/BTB04, 4A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High b 文件：1.07404 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTA04-800CW	文件：1.07404 Mbytes Page：5 Pages	4A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA04/BTB04, 4A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High b 文件：1.07404 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTA04-800SW	文件：1.07404 Mbytes Page：5 Pages	4A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA04/BTB04, 4A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High b 文件：1.07404 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTA04-800TG	文件：662.76 Kbytes Page：6 Pages	4A TRIACs DESCRIPTION High current density due to double mesa technology; Glass Passivation. 文件：662.76 Kbytes 页数：6 Pages	JIEJIE 捷捷微电	JIEJIE
BTA04-800TH	文件：662.76 Kbytes Page：6 Pages	4A TRIACs DESCRIPTION High current density due to double mesa technology; Glass Passivation. 文件：662.76 Kbytes 页数：6 Pages	JIEJIE 捷捷微电	JIEJIE
BTA04-800TK	文件：662.76 Kbytes Page：6 Pages	4A TRIACs DESCRIPTION High current density due to double mesa technology; Glass Passivation. 文件：662.76 Kbytes 页数：6 Pages	JIEJIE 捷捷微电	JIEJIE
BTA04-800TW	文件：1.07404 Mbytes Page：5 Pages	4A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA04/BTB04, 4A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High b 文件：1.07404 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTA04A	文件：438.03 Kbytes Page：6 Pages	SENSITIVE GATE TRIACS DESCRIPTION The BTA/BTB04 T/D/S/A triac family are high performance glass passivated PNPN devices. These parts are suitables for general purpose applications where gate high sensitivity is required. Application on 4Q such as phase control and static switching. FEATURES ■ Very low IGT = 文件：438.03 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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晶体管资料

型号：
BTA04-...A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Triac
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
TAG220...,TAG231...,TAG421...,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
800
htest：
999900
atest：
4
wtest：
0

技术参数

VRRM：
400V
IT(RMS)：
6A
IT(Peak)：
8.5A
IGT T2+G+：
5mA
IGT T2+G-：
5mA
IGT T2-G-：
5mA
IGT T2-G+：
10mA
VTM：
1.65V
Pin Array：
T1T2G
Package：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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