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BSZ018NE2LSI	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-300V N-Channel Power MOSFET With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the \n优势:\n• Save overall system costs by reducing the number of phases in multiphase converters\n• Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions\n• Save space with smallest packages like CanPAK™, S3O8 or system in package solution\n• Minimize EMI in the system making external snub;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ018NE2LSI	文件：631.24 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：631.24 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC018NE2LS	文件：1.5296 Mbytes Page：12 Pages	n-Channel Power MOSFET 文件：1.5296 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC018NE2LS	文件：820.71 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：820.71 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC018NE2LSI	文件：682.39 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：682.39 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSZ018NE2LSIATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)
VDS max：
25 V
RDS (on) @10V max：
1.8 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
2.5 mΩ
ID @25°C max：
40 A
QG typ @10V：
36 nC
QG typ @4.5V：
17 nC
Special Features：
Monolithically Integrated Schottky-like Diode
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™

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更多BSZ018NE2LSI供应商更新时间2025-11-22 16:12:00

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