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BSZ009NE2LS5	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 25V 功率 MOSFET，可进一步提高性能 Infineon extends its’ high performance MOSFET portfolio with BSZ009NE2LS5 OptiMOS™ 5 25V power MOSFET in the small PQFN 3.3x3x3 mm package. This device offers industry’s lowest RDS(on) of 0.9mΩ at 10V and is targeting mainly Or-ing and load switching applications. \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ009NE2LS5	文件：1.06464 Mbytes Page：11 Pages	丝印：09NE2L5；Package：PG-TSDSON-8FL；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V 文件：1.06464 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC009NE2LS5	文件：1.54909 Mbytes Page：13 Pages	Optimized for high performance buck converters 文件：1.54909 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC009NE2LS5I	文件：325.93 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current--ID=100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage--VDSS= 25V(Min) APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·UPS ·Motor Control 文件：325.93 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BSC009NE2LS5I	文件：1.57599 Mbytes Page：13 Pages	Optimized for high performance buck converters 文件：1.57599 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSZ009NE2LS5ATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)
VDS max：
25 V
RDS (on) @10V max：
0.9 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
1.2 mΩ
ID @25°C max：
40 A
QG typ @10V：
92 nC
QG typ @4.5V：
52 nC
Special Features：
ORing/Efuse
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™ 5

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