丝印：09NE2LS5；Package：PG-TDSON-8；Optimized for high performance buck converters

文件：1.54909 Mbytes 页数：13 Pages

Infineon

英飞凌

20V-300V N-Channel Power MOSFET

凭借 OptiMOS™ 5 25V 和 30V 产品系列，英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度和高能效来提供基准解决方案。 • 同类中较为出色的导通电阻\n• 基准开关性能 (极低的 R on x Q g 和 R on x Q gd品质因数)\n• 符合 RoHS 标准且无卤素\n• 优化的 EMI 行为 (集成阻尼网络)\n\n优势:\n• 高效率\n• 具有 S3O8 或功率块封装的极高功率密度\n• 降低整体系统成本\n• 在高开关频率下操作;

Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current--ID=100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage--VDSS= 25V(Min) APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·UPS ·Motor Control

文件：325.93 Kbytes 页数：3 Pages

ISC

无锡固电

丝印：09NE2L5I；Package：PG-TDSON-8；Optimized for high performance buck converters

文件：1.57599 Mbytes 页数：13 Pages

Infineon

英飞凌

20V-300V N-Channel Power MOSFET

凭借 OptiMOS™ 5 25V 和 30V 产品系列，英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度和高能效来提供基准解决方案。 • 同类中较为出色的导通电阻\n• 基准开关性能 (极低的 R on x Q g 和 R on x Q gd品质因数)\n• 符合 RoHS 标准且无卤素\n• 优化的 EMI 行为 (集成阻尼网络)\n\n优势:\n• 高效率\n• 具有 S3O8 或功率块封装的极高功率密度\n• 降低整体系统成本\n• 在高开关频率下操作;

Infineon

英飞凌