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BU102S	文件：113.46 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、Charger andSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BUZ102	文件：183.36 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •Lowon-resistance •175°Coperatingtemperature •alsoinTO-220SMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ102	文件：332.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.023Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ102AL	文件：182.88 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-ratedLogicLeveldv/dtrated) •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •LogicLevel •dv/dtrated •Lowon-resistance •175°Coperatingtemperature •alsoinTO-220SMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ102S	文件：123.09 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ102S	文件：139.4 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175˚Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUZ102SL	文件：120.78 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BYP102	文件：25.82 Kbytes Page：3 Pages	FREDDiode(FastrecoveryepitaxialdiodeSoftrecoverycharacteristics)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BYP102	文件：255.07 Kbytes Page：2 Pages	FREDDiode FEATURES ·LowSwitchingLosses ·LowLeakageCurrent ·Ultrafastrecoverytime APPLICATIONS ·PFC ·Half-bridge/full-bridgeswitched-modepowersupplies ·Half-bridgelightingballasts	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BYX102G	文件：41.48 Kbytes Page：8 Pages	High-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifiers DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched.Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEA	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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