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BSV52	文件：36.41 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED WITCHING TRANSISTOR SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED WITCHING TRANSISTOR 文件：36.41 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BSV52	文件：89.67 Kbytes Page：7 Pages	NPN Switching Transistor NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturated switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21. 文件：89.67 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BSV52	文件：45.16 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistor DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 12 V). APPLICATIONS • High speed saturated switching applications, especially in portable equipment. 文件：45.16 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BSV52	文件：178.25 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：178.25 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BSV52	文件：127.8 Kbytes Page：7 Pages	NPN switching transistor DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 12 V). APPLICATIONS • High speed saturated switching applications, especially in portable equipment. 文件：127.8 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BSV52	文件：44.99 Kbytes Page：2 Pages	NPN Switching Transistor Features ● High current (max. 100 mA). ● Low voltage (max. 12 V). 文件：44.99 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSV52	文件：46.12 Kbytes Page：5 Pages	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORS ■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ LOW CURRENT, FAST SWITCHING APPLICATIONS. 文件：46.12 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BSV52	文件：335.04 Kbytes Page：8 Pages	丝印：B2；Package：SOT23；NPN switching transistor FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 12 V). APPLICATIONS •High speed saturated switching applications, especially in portable equipment. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. 文件：335.04 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSV52-B2	文件：36.41 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED WITCHING TRANSISTOR SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED WITCHING TRANSISTOR 文件：36.41 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BSV52LT1	文件：51.57 Kbytes Page：4 Pages	Switching Transistor (NPN Silicon) Switching Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available 文件：51.57 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BSV52
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSV65,3DG112A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

产品属性

产品编号：
BSV52
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
400MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 12V 0.2A SOT23-3

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更多BSV52供应商更新时间2026-4-11 14:13:00

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