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BST52中文资料NPN, 80V, 0.5A, SOT89数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BST52

参数属性

BST52 封装/外壳为TO-243AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT89-3

功能描述

NPN, 80V, 0.5A, SOT89
TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT89-3

封装外壳

TO-243AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 22:59:00

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BST52规格书详情

简介

BST52属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BST52晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BST52

  • 生产厂家

    :Diodes

  • AEC Qualified

    :Yes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :0.5 A

  • ICM (A)

    :1.5 A

  • PD (W)

    :1 W

  • hFE (min)

    :2000

  • hFE Condition @ IC

    :0.5 A

  • VCE (SAT)

    :1300 mV

  • fT (MHz)

    :N/A MHz

  • Packages

    :SOT89

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