BST51中文资料SOT89 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
BST51 |
参数属性 | BST51 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS DARL NPN 60V 500MA SOT-89 |
功能描述 | SOT89 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-243AA |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 22:59:00 |
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BST51规格书详情
简介
BST51属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BST51晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
BST51TA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.3V @ 500µA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 150mA,10V
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
SOT-89-3
- 描述:
TRANS DARL NPN 60V 500MA SOT-89
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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