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BSS84V	文件：100.97 Kbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capaci 文件：100.97 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS84V	文件：216.18 Kbytes Page：3 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：216.18 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS84V-7	文件：100.97 Kbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capaci 文件：100.97 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS84V_07	文件：216.18 Kbytes Page：3 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：216.18 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS84V_15	文件：180.82 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：180.82 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS84V-7	文件：216.18 Kbytes Page：3 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：216.18 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS84V	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
No
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.13 A
PD @ TA = +25°C：
0.15 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT563

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更多BSS84V供应商更新时间2026-4-18 15:01:00

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