P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features | + -20V-07A Rosin 520mO@-4.5V Max a ROS(on)= 700mQ@-2.5V Max . RoS(on)= 950mQ(TYP)@-1.8V

文件：3.19391 Mbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

文件：284.82 Kbytes 页数：8 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

文件：75.35 Kbytes 页数：8 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

文件：284.82 Kbytes 页数：8 Pages

INFINEON

英飞凌

P沟道增强模式小信号场效应晶体管 (FET)，-100 V，SOT-223

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌