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BSS138BK	文件：865.01 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET 文件：865.01 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
BSS138BK_15	文件：865.01 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET 文件：865.01 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BSS138BK215	文件：865.01 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET 文件：865.01 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
BSS138BKAHZG	文件：5.29776 Mbytes Page：14 Pages	丝印：VEA；Package：SOT-23；Nch 60V 400mA Small Signal MOSFET 文件：5.29776 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BSS138BKS	文件：861.19 Kbytes Page：18 Pages	60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：861.19 Kbytes 页数：18 Pages	PHI PHI	PHI
BSS138BKS_15	文件：888.36 Kbytes Page：17 Pages	60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：888.36 Kbytes 页数：17 Pages	PHI PHI	PHI
BSS138BKS115	文件：861.19 Kbytes Page：18 Pages	60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：861.19 Kbytes 页数：18 Pages	PHI PHI	PHI
BSS138BKW	文件：5.39414 Mbytes Page：14 Pages	丝印：VE；Package：SOT-323；Nch 60V 380mA Small Signal MOSFET 文件：5.39414 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BSS138BKW_15	文件：864.87 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET 文件：864.87 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BSS138BWAHZG	文件：5.40212 Mbytes Page：14 Pages	丝印：VEA；Package：SOT-323；Nch 60V 380mA Small Signal MOSFET 文件：5.40212 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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技术参数

封装：
UMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-323
JEITA Package：
SC-70
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
0.38
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.58
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.49
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
1
Power Dissipation (PD)[W]：
0.3
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSS138B供应商更新时间2026-3-12 23:00:00

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