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BSS127SSN-7

Low Input Capacitance

Description This new generation uses advanced planar technology MOSFET, provide excellent high voltage and fast switching, making it ideal for small-signal and level shift applications. Features • Low Input Capacitance • High BVDSS Rating for Power Application • Low Input/Output Leakage • To

文件:366.45 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

BSS127SSN-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

文件:314.62 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

BSS131H6327

SOT-23

INFINEON/英飞凌

BSS131H6327XTSA1

SOT23-3

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市创芯联盈电子有限公司

BSS131H6327XTSA1

SOT-23

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSS127SSN-7

  • 功能描述:

    MOSFET BSS Family,SC59 Family,SC59,3K

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多BSS127SSN-7供应商 更新时间2026-1-31 15:14:00