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BSS123LT1	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available 文件：58.16 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS123LT1	文件：93.12 Kbytes Page：4 Pages	TMOS FET Transistor(N-Channel) TMOS FET Transistor N–Channel 文件：93.12 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BSS123LT1D	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available 文件：58.16 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS123LT1G	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available 文件：58.16 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS123LT1G	文件：115.51 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available 文件：115.51 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS123LT3	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available 文件：58.16 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS123LT3G	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available 文件：58.16 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BSS123LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET 170mA，100V，N沟道SOT-23 功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23 • RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS123LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS FET Transistor(N-Channel)	恩XP	恩XP

详细参数

型号：
BSS123_T
功能描述：
MOSFET 100V 170mA N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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