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BSS123(Z)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Diodes

美台半导体

BSS123A

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

文件:45.25 Kbytes 页数:1 Pages

Zetex

BSS123-G

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:202.46 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BSS123I

OptiMOSTM Small-Signal-Transistor, 100 V

文件:1.02919 Mbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    100 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.17 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.36 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    6000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    2.8 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    SOT23

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更多BSS123(Z)供应商 更新时间2025-12-18 15:08:00