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BSR41-Q	文件：188.08 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AR2；Package：SOT89；60 V, 1 A NPN medium power transistor 1. General description NPN general-purpose transistor in a medium power SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: BSR31-Q. 2. Features and benefits • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V) • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for us 文件：188.08 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSR41	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 1 A NPN medium power transistor NPN medium power transistor in a SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: BSR31. • High current\n• High power dissipation capability\n• Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BSR41	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
BSR41	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS	Diodes 美台半导体	Diodes
BSR41,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 1A SOT89	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BSR41F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 1A SOT89	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

晶体管资料

型号：
BSR41
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_开关管
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
β>100
图片代号：
H-100
vtest：
70
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
Polarity：
NPN
Ptot (mW)：
1350
VCEO [max] (V)：
60
IC [max] (mA)：
1000
hFE [min]：
30
hFE [max]：
300
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
N

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