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BSP52T3G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BSP52T3G
厂商型号

BSP52T3G

参数属性

BSP52T3G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

功能描述

NPN Small-Signal Darlington Transistor
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

文件大小

90.23 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-21 20:00:00

BSP52T3G规格书详情

NPN Small−Signal Darlington Transistor

This NPN small signal Darlington transistor is designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications.

Features

• The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die

• Available in 12 mm Tape and Reel

Use BSP52T1 to order the 7 inch/1000 unit reel

• PNP Complement is BSP62T1

• Pb−Free Packages are Available

BSP52T3G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的BSP52T3G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BSP52T3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.3V @ 500µA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 500mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

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