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BSP51分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BSP51

参数属性

BSP51 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT223-4

功能描述

NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage)

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

152.87 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

SIEMENS

中文名称

西门子

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-6 11:11:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BSP51

  • 别名:

    BSP51三极管、BSP51晶体管、BSP51晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    1.5A

  • 最大工作频率:

    350MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍数:

    β>2000

  • 图片代号:

    H-99

  • vtest:

    80

  • htest:

    350000000

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    1.5

BSP51规格书详情

NPN Silicon Darlington Transistors

● High collector current

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: BSP 60 … BSP 62 (PNP)

产品属性

  • 产品编号:

    BSP51

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.3V @ 500µA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-4

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT223-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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