BSP51分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BSP51 |
| 参数属性 | BSP51 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT223-4 |
| 功能描述 | NPN Silicon Darlington Transistors |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
120.79 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | INFINEON |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-6 9:10:00 |
| 人工找货 | BSP51价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BSP51三极管、BSP51晶体管、BSP51晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
1.5A
- 最大工作频率：
350MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
1.5W
- 放大倍数：
β>2000
- 图片代号：
H-99
- vtest：
80
- htest：
350000000
- atest：
1.5
- wtest：
1.5
产品属性
- 产品编号：
BSP51
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 500µA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223-4
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT223-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SOT223 |
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