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BSP30	文件：73.15 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER AMPLIFIER MEDIUM POWER AMPLIFIER ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORS ■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER OUTPUT STAGE ■ NPN COMPLEMENTS ARE BSP40, BSP41, B 文件：73.15 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BSP30	文件：174.92 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 1.3 W • Plastic case SOT-223 • Weight approx. 0.04 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：174.92 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BSP300	文件：98.08 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated) SIPMOS ® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • VGS(th)= 2.0... 4.0 V 文件：98.08 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSP300	文件：114.28 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor SIPMOS ® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • VGS(th)= 2.0... 4.0 V • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogenfree according to IEC61249221 文件：114.28 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP304	文件：75.87 Kbytes Page：9 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors DESCRIPTION P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a TO-92 variant package. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL etc. • High speed switching • No secondary breakdown. APPLICATIONS • Intended for use as a Line current interruptor in telephone sets and for applications i 文件：75.87 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSP304A	文件：75.87 Kbytes Page：9 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors DESCRIPTION P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a TO-92 variant package. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL etc. • High speed switching • No secondary breakdown. APPLICATIONS • Intended for use as a Line current interruptor in telephone sets and for applications i 文件：75.87 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSP300	文件：319.55 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor 文件：319.55 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP300_08	文件：319.55 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor 文件：319.55 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP30	文件：300 bytes Page：1 Pages	MEDIUM POWER AMPLIFIER	ST 意法半导体	ST
BSP30	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors	DEC	DEC

技术参数

Package ：
SOT-223
VDS max：
800.0V
RDS (on) max：
20000.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
0.19A
Ptot max：
1.8W
IDpuls max：
0.8A
VGS(th) min max：
2.0V 4.0V
Operating Temperature min：
-55.0°C
Pin Count ：
4.0Pins
Mounting ：
SMD
Mode ：
Enhancement
Ciss ：
170.0pF
Coss ：
20.0pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSP30供应商更新时间2025-12-3 10:50:00

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