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BSP30	文件：73.15 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER AMPLIFIER MEDIUMPOWERAMPLIFIER ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTORS ■MINIATUREPLASTICPACKAGEFORAPPLICATIONINSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■GENERALPURPOSEMAINLYINTENDEDFORUSEINMEDIUMPOWERINDUSTRIALAPPLICATIONANDFORAUDIOAMPLIFIEROUTPUTSTAGE ■NPNCOMPLEMENTSAREBSP40,BSP41,B	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BSP30	文件：174.92 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation1.3W •PlasticcaseSOT-223 •Weightapprox.0.04g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BSP30	文件：300 bytes Page：1 Pages	MEDIUM POWER AMPLIFIER;	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
BSP30	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors;	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
BSP300	文件：98.08 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.0...4.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSP300	文件：114.28 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.0...4.0V •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •HalogenfreeaccordingtoIEC61249221	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP304	文件：75.87 Kbytes Page：9 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTLetc. •Highspeedswitching •Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS •IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsi	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BSP304A	文件：75.87 Kbytes Page：9 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTLetc. •Highspeedswitching •Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS •IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsi	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BSP300	文件：319.55 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP300_08	文件：319.55 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Package ：
SOT-223
VDS max：
800.0V
RDS (on) max：
20000.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
0.19A
Ptot max：
1.8W
IDpuls max：
0.8A
VGS(th) min max：
2.0V 4.0V
Operating Temperature min：
-55.0°C
Pin Count ：
4.0Pins
Mounting ：
SMD
Mode ：
Enhancement
Ciss ：
170.0pF
Coss ：
20.0pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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