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BSP170P

SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件:298.3 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSP170P

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:953.89 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

BSP170P_09

SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件:298.3 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSP170PH6327XTSA

SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件:298.3 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSP170I

采用 SOT223 封装的工业级 P 沟道功率 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性

Industrial grade P-channel power MOSFET in SOT223 package, reducing design complexity in medium and low power applications • Low on-resistance\n• 100% avalanche tested\n• Logic level\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant\n• Qualified for industrial applications\n\n优势:\n• Easy interface to MCU\n• Improved efficiency at low loads\n• Fast switching\n• Avalanche ruggedness\n• Best-in-class quality and reliability\n ;

Infineon

英飞凌

BSP170P

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET),-60 V,SOT-223

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 小信号封装,经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSP170PH6327XTSA1

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    PG-SOT223-4

  • VDS max:

    -60 V

  • RDS (on) @10V max:

    300 mΩ

  • QG typ @10V:

    -10 nC

  • Special Features:

    Small Power

  • Polarity:

    P

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • VGS(th) min:

    -2.1 V

  • VGS(th) max:

    -4 V

  • Technology:

    SIPMOS™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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SOT223
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SOT-223
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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SOT-223
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SOT-223
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INFINEON/英飞凌
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SOT-223
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更多BSP170供应商 更新时间2025-12-9 23:00:00