丝印：BSP149；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES Vos = 200V Ib=10A @Ves = 10V Rosion) £1.35Q @Ves = 10V SOT-223 package.

文件：3.04397 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

SIPMOS Small-Signal-Transistor

Features • N-channel • Depletion mode • dv /dt rated • Available with VGS(th) indicator on reel • Pb-free lead plating; RoHS compliant

文件：206.19 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

● VDS 200 V ● ID 0.48 A ● RDS(on) 3.5 Ω ● N channel ● Depletion mode ● High dynamic resistance ● Available grouped in VGS(th)

文件：328.62 Kbytes 页数：7 Pages

SIEMENS

西门子

SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件：226.93 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

Small Signal MOSFET

英飞凌是少数向全球提供耗尽型 MOSFET 半导体制造商之一。\n 应用范围包括供电电源启动电源、过压保护、涌入电流限制器、脱机基准电压。使用单一部件就可能实现简单的电流调节。所有产品均适用于汽车应用。为满足特殊要求，可在卷轴上使用带有 VGS(th) 指示器的耗尽型 MOSFET。 • 耗尽型\n• dv/dt额定\n• 可在卷轴上使用 VGS(th) 指示器\n• 无卤；无铅镀层；符合 RoHS\n• 质量符合 AEC Q101 标准\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件：226.93 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌