BSP122中文资料N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor数据手册恩XP规格书
BSP122规格书详情
描述 Description
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT223 package and intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers.FEATURES
• Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
• High-speed switching
• No secondary breakdown.
特性 Features
• Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
• High-speed switching
• No secondary breakdown.
技术参数
- 型号：
BSP122
- 功能描述：
MOSFET TAPE-7 MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
恩XP |
2016+ |
SOT-223 |
3000 |
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恩XP |
24+ |
SOT-223 |
80000 |
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MICROCHIP/微芯 |
25+ |
NA |
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PHI |
22+ |
SOT223 |
100000 |
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RANDTECHNOLO |
24+/25+ |
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原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
恩XP |
25+ |
SOT-223 |
32000 |
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VBsemi |
21+ |
SOT223 |
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询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-223 |
11878 |
只做原装正品 |
询价 |
