BSP122数据手册恩XP中文资料规格书
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描述 Description
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT223 package and intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers.FEATURES
• Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
• High-speed switching
• No secondary breakdown.
特性 Features
• Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
• High-speed switching
• No secondary breakdown.
技术参数
- 型号:
BSP122
- 功能描述:
MOSFET TAPE-7 MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-223 |
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恩XP |
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SOT223 |
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