BSO615N中文资料Low Voltage MOSFETs - Dual N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
BSO615N
- 功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
SIPMOS®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
SOP8 |
1568 |
10年芯程,只做原装正品现货,欢迎加微信垂询! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOIC-8_150mil |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
SOP-8 |
100 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
原厂原封 |
6000 |
原装进口香港现货价优 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOP-8 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
INFINEON |
2023+ |
so8 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
INFINEON |
2025+ |
SOP8 |
3925 |
全新原装、公司现货热卖 |
询价 |
