BSO615N数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号:
BSO615N
- 功能描述:
MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
SIPMOS®
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
21+ |
SOP8 |
1568 |
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询价 | ||
INFINEO |
2020+ |
SOP-8 |
40 |
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INFINEON |
21+ |
SOP-8 |
24544 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOIC-8_150mil |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
400 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7998 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
INFINEON |
20+ |
SOP-8 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFINEO |
21+ |
SOP-8 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 |