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BSO615C G中文资料Small Signal MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BSO615C G

功能描述

Small Signal MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 12:37:00

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BSO615C G规格书详情

描述 Description

互补式功率 MOSFET - 在同一封装内的 n 通道和 p 通道功率 MOSFET - 是英飞凌有名的低电压 OptiMOS™ 系列的组成部分,OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源(例如服务器和电信)以及功耗(例如电动车)领域。

特性 Features

• 互补式 p- +n- 通道
• 增强模式
• 雪崩评级
• 质量符合 AEC Q101 标准
• 100% 无铅、符合 RoHS

优势:

应用 Application

• 汽车
• 直流-直流
• 电机控制
• 板载充电器     

技术参数

  • 制造商编号

    :BSO615C G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSO615CGXUMA1

  • Qualification

    :Automotive

  • Package name

    :PG-DSO-8

  • VDS max

    :-60 V/60 V

  • RDS (on) @10V max

    :110 mΩ/300 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :150 mΩ/450 mΩ

  • ID @25°C max

    :-2 A/3.1 A

  • QG typ @10V

    :13.5 nC/15 nC

  • Polarity

    :N/P

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :-1 V/1.2 V

  • VGS(th) max

    :-2 V/2 V

  • VGS(th)

    :1.6 V

  • Technology

    :SIPMOS™

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