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BSO052N03S

OptiMOS2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

BSO052N03S

OptiMOS?? Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

BSO052N03S_09

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:327.8 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSO052N03S

Low Voltage MOSFETs - OptiMOS? Power MOSFET, 30V, SO8, RDSon = 5.2mOhm, 17A, LL

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSO052N03

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 14A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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更多BSO052N03供应商 更新时间2025-11-16 9:38:00