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BSO052N03S	文件：244.2 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSO052N03S	文件：327.8 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSO052N03S_09	文件：327.8 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC052N03LS	文件：1.53138 Mbytes Page：12 Pages	n-ChannelPowerMOSFET Features •OptimizedforhighperformanceBuckconverter •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingto	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC052N03LS	文件：761.29 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTMPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC052N03S	文件：299.69 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyfornotebookDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1fortargetapplications •N-channel •Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC052N03SG	文件：389.28 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyfornotebookDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1fortargetapplications •Logiclevel/N-channel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiortherma	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
BSO052N03S
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 14A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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