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BSN304A	文件：88.69 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantenvelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedsw	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSN011NE2LS	文件：598.74 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSN011NE2LSI	文件：509.73 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSN012N03LS	文件：520.03 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSN012N03LS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Optimized for high performance Buck converter;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSN012N03LSI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Optimized for high performance Buck converter;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSN012N03LSI	文件：509.11 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSN045NE2LS	文件：521.049 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSN048N03LS	文件：520.909 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSN10	文件：76.66 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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技术参数

Power：
36 W
Tolerance：
5 %
TCR：
50 ppm/K
Resistance (min)：
0.000025 Ω
Resistance (max)：
0.000025 Ω

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳睿斯电子科技有限公司	BSN	LS/电气	25+		30000	原装正品,全系列可订货	询价
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