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BSN304A	文件：88.69 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors DESCRIPTION N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a TO-92 variant envelope, intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed sw 文件：88.69 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSN011NE2LS	文件：598.74 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter 文件：598.74 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSN011NE2LSI	文件：509.73 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter 文件：509.73 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSN012N03LS	文件：520.03 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter 文件：520.03 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSN012N03LSI	文件：509.11 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter 文件：509.11 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSN045NE2LS	文件：521.049 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter 文件：521.049 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSN048N03LS	文件：520.909 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter 文件：520.909 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSN10	文件：76.66 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors 文件：76.66 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSN10	文件：67.99 Kbytes Page：1 Pages	NYLON INSULATED BUTT SPLICES 文件：67.99 Kbytes 页数：1 Pages	PANDUIT	PANDUIT
BSN10A	文件：76.66 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors 文件：76.66 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI

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技术参数

Power：
36 W
Tolerance：
5 %
TCR：
50 ppm/K
Resistance (min)：
0.000025 Ω
Resistance (max)：
0.000025 Ω

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳睿斯电子科技有限公司	BSN	LS/电气	25+		30000	原装正品,全系列可订货	询价
万三科技(深圳)有限公司	BSN	Maxim(美信)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	BSN20	恩XP	23+	SOT23	3200	绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!	询价
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深圳市一线半导体有限公司	BSN6040AGHZ	TI	24+	BGA	4281		询价

更多BSN供应商更新时间2025-10-7 14:04:00

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