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BSM75GAR120DN2	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BSM75GAR120DN2

文件：201.5 Kbytes

Page：10 Pages

HighSpeed 2-Technology

•Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

BSM75GAR120DN2

文件：80.4 Kbytes

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IGBT Power Module

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

BSM75GAR120DN2HOSA1

文件：100 bytes

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包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 30A 235W

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

详细参数

型号：
BSM75GAR120D
功能描述：
IGBT 晶体管 1200V 100A GAR CH
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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