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BSM35GP120GBOSA1数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
BSM35GP120GBOSA1 |
| 参数属性 | BSM35GP120GBOSA1 封装/外壳为模块；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 45A 230W |
| 功能描述 | IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3 |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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BSM35GP120GBOSA1规格书详情
简介
BSM35GP120GBOSA1属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM35GP120GBOSA1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：BSM35GP120GBOSA1
- 生产厂家
：Infineon
- 配置
：全桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：1200V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：45A
- 功率 - 最大值
：230W
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：2.85V @ 15V，35A
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：500µA
- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）
：1.5nF @ 25V
- 输入
：三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻
：是
- 工作温度
：-40°C ~ 125°C
- 安装类型
：底座安装
- 封装/外壳
：模块
- 供应商器件封装
：模块
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MODULE |
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模块 |
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EUPEC |
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模块 |
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模块 |
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