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详细参数

  • 型号:

    BSM100GB120DN2_E3254

  • 功能描述:

    IGBT 模块 IGBT 1200V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
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英飞凌Infineon
2022+
原厂封装
2500
只做原装,可提供样品
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Infineon
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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INFINEON
24+
MODULE
1000
全新原装现货
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sie
25+
500000
行业低价,代理渠道
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INFINEON
10+
主营模块
500
原装正品,绝对正品,现货供应
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专业模块
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模块原装主营-可开原型号增税票
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EUPEC
module
150
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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INFINEON/英飞凌
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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24+
N/A
47000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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更多BSM100GB120DN2_E3254供应商 更新时间2025-10-30 15:01:00