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BSH112中文资料N-channel enhancement mode field-effect transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

BSH112

功能描述

N-channel enhancement mode field-effect transistor

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-24 16:04:00

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技术参数

  • 型号:

    BSH112

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MO

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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