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BSF053N03LT G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON	Infineon 英飞凌	Infineon
BSF053N03LTG	文件：297.29 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2 Power-MOSFET 文件：297.29 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
16A（Ta），71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
5.3 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
29nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2700pF @ 15V
功率耗散（最大值）：
2.2W（Ta），42W（Tc）
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳：
3-WDSON

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更多BSF053N03LT G供应商更新时间2025-11-20 16:00:00

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