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BSDL10S65E6	文件：819.73 Kbytes Page：7 Pages	BSDL10S65E6 Silicon Carbide Schottky Diode Features n Low forward voltage drop, high efficiency n Low reverse leakage current n High peak forward surge current (IFSM) n Reduced EMI n Maximum operating TJ up to 175 °C n Epoxy compound is flame retardant to the UL 94V-0 standard n RoHS compliant, Pb free and halogen free* Applic 文件：819.73 Kbytes 页数：7 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BSDL10S65E6	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅肖特基势垒二极管	Bourns 伯恩斯	Bourns
BSDB10S65E6	文件：196.35 Kbytes Page：7 Pages	BSDB10S65E6 Silicon Carbide Schottky Diode Features ■ Low forward voltage drop, high efficiency ■ Low reverse leakage current ■ High peak forward surge current (IFSM) ■ Reduced EMI ■ Maximum operating TJ up to 175 °C ■ Epoxy compound is flame retardant to the UL 94V-0 standard ■ RoHS compliant, Pb free and halogen free* Applic 文件：196.35 Kbytes 页数：7 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BSDD10S65E6	文件：196.29 Kbytes Page：7 Pages	BSDD10S65E6 Silicon Carbide Schottky Diode Features ■ Low forward voltage drop, high efficiency ■ Low reverse leakage current ■ High peak forward surge current (IFSM) ■ Reduced EMI ■ Maximum operating TJ up to 175 °C ■ Epoxy compound is flame retardant to the UL 94V-0 standard ■ RoHS compliant, Pb free and halogen free* Applic 文件：196.29 Kbytes 页数：7 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BSDH10S65E6	文件：181.82 Kbytes Page：6 Pages	BSDH10S65E6 Silicon Carbide Schottky Diode Features ■ Low forward voltage drop, high efficiency ■ Low reverse leakage current ■ High peak forward surge current (IFSM) ■ Reduced EMI ■ Maximum operating TJ up to 175 °C ■ Epoxy compound is flame retardant to the UL 94V-0 standard ■ RoHS compliant, Pb free and halogen free* Applic 文件：181.82 Kbytes 页数：6 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns

技术参数

IF(AV)Max.(A)：
10
Io(AV)Max.(A)：
--
TjMax.(°C)：
175
VRRMMax.(V)：
650
QrTyp.(nC)：
24
RoHS Compliant：
BSDL10S65E6
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