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BSDFN10A034UD	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
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技术参数

Vbr.min(V)：
12
Cj.max(PF)：
0.3/0.4
Ppp(W)@8/20µS：
35
Ipp(A)@8/20µS：
4.5
Ir.max(µA)：
0.2
ESD Contact(kv)：
15
Package：
DFN10L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSDFN10A034UD供应商更新时间2025-11-4 14:01:00

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