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BSD9C051V	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
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技术参数

Vbr.min(V)：
6
Cj.max(PF)：
10
Ppp(W)@8/20µS：
70
Ipp(A)@8/20µS：
4
Ir.max(µA)：
16
ESD Contact(kv)：
8
Package：
SOD923

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