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BSD5C121V

静电抑制二极管

BORNSEMI

伯恩斯

TNR5C121K

TNR C SERIES

文件:31.76 Kbytes 页数:3 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

5C121

1200 GATE CHMOS H-SERIES ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE

文件:1.12008 Mbytes 页数:15 Pages

Intel

英特尔

BSG0810NDI

TSDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSG0810NDI

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • Vbr.min(V):

    13.3

  • Cj.max(PF):

    10

  • Ppp(W)@8/20µS:

    200

  • Ipp(A)@8/20µS:

    8

  • Ir.max(µA):

    0.5

  • ESD Contact(kv):

    30

  • Package:

    SOD523

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
BORN(伯恩半导体)
24+
SOD523
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SOT-363
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SOT-363
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更多BSD5C121V供应商 更新时间2025-11-5 10:03:00