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BSD3C4R51V120	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BSG0810NDI	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSDSON-8	Infineon 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	Infineon
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BSG0810NDIATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TDSON-8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

Vbr.min(V)：
5
Cj.max(PF)：
620
Ppp(W)@8/20µS：
1800
Ipp(A)@8/20µS：
110
Ir.max(µA)：
0.5
ESD Contact(kv)：
30
Package：
SOD323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	BSD3C4R51V120	BORN	22+	SOD323	25000	伯恩全系列在售	询价
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更多BSD3C4R51V120供应商更新时间2025-11-5 13:30:00

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